特許
J-GLOBAL ID：200903019373837294
メッキ方法及びメッキ装置
発明者：
出願人/特許権者：
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平5-353891
公開番号（公開出願番号）：特開平7-197299
出願日： 1993年12月29日
公開日（公表日）： 1995年08月01日
要約：
【要約】【目的】 被メッキ面に均一な厚さのメッキを施すことができるようにする。【構成】 アノード電極31は、絶縁領域33を介して中央アノード電極34と第1〜第4周辺アノード電極35〜38とに分割する。メッキ電流制御部44のメッキ電源部46は、ここでは定電流源であり、ここから供給される複数のメッキ電流出力をスイッチング回路45でオン/オフ切換えする。中央アノード電極34に供給されるメッキ電流は、メッキ処理時間の2/3をオンし、1/3をオフするようにし、第1〜第4周辺アノード電極35〜38に供給されるメッキ電流は、メッキ処理時間中常にオン状態とする。ウエハ49のメッキ厚分布は、通常は中央部で厚く、周辺部で薄く析出されるものを、上記の通電時間制御を行うことにより、ウエハ49上に均一な高さのバンプ電極を形成するようにする。
請求項（抜粋）：
メッキ液をカソード電極側に噴流させながらアノード電極からメッキ電流を流してカソード電極に接続された被メッキ面にメッキを析出するメッキ方法において、前記アノード電極に流すメッキ電流の通電時間又は電流量の一方、あるいは通電時間と電流量の両方を電極位置に応じて部分的に可変させて、カソード電極側に析出されるメッキ厚を制御することを特徴とするメッキ方法。
IPC (3件)：
C25D 21/00
, C25D 5/08
, C25D 17/00
