特許
J-GLOBAL ID：200903019389014646
シリコン基板ビアホール形成方法およびマルチチツプモジユール製造方法
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
井桁 貞一
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平3-305103
公開番号（公開出願番号）：特開平5-144978
出願日： 1991年11月20日
公開日（公表日）： 1993年06月11日
要約：
【要約】【目的】 本発明は,セラミック基板を用いた実装構造のマルチチップモジューの配線用中間板の製造に関し,シリコン製中間板の製造工程を大幅に簡略化し,必要な絶縁性を満たしたビアホールを形成することを目的とする。【構成】 酸素,或いは,窒素等のアシストガス1雰囲気中でシリコン基板2にレーザ光3を照射し,シリコン基板2を貫通するビアホール4を形成すると同時に,ビアホール4の内壁に絶縁膜5を形成するように,また,前記シリコン基板2を,半導体チップ6を搭載する配線用の中間板7として用い,中間板7をセラミック基板8に搭載するように構成する。
請求項（抜粋）：
酸素,或いは,窒素等のアシストガス(1) 雰囲気中でシリコン基板(2) にレーザビームを照射し,該シリコン基板(2)を貫通するビアホール(4) を形成すると同時に,該ビアホール(4) の内壁に絶縁膜(5) を形成することを特徴とするシリコン基板ビアホール形成方法。
IPC (4件)：
H01L 23/14
, B23K 26/00 330
, H01L 25/04
, H01L 25/18
H01L 23/14 S
, H01L 25/04 Z
