特許
J-GLOBAL ID：200903019391681994
樹脂封止型半導体装置
発明者：
,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
佐藤 一雄 (外3名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2000-188191
公開番号（公開出願番号）：特開2002-009219
出願日： 2000年06月22日
公開日（公表日）： 2002年01月11日
要約：
【要約】 (修正有)【課題】パワーMOS FET等において高周波動作におけるインピーダンスの増加を押さえると共に、ノイズの低減を図った小型の表面実装型半導体装置を提供する。【解決手段】半導体チップ12を搭載するフレーム基板13と、このフレーム基板に取り付ける半導体チップの各電極と対応するドレイン電極端子31、ソース電極端子33、ゲート電極端子35と、チップのソース電極を分離して形成したGND電極と結ぶGND電極端子37をゲート電極端子とソース電極端子の間に設け、ソース、ゲート、GNDの各電極と電極端子間を低インピーダンスの金線32,34または金属板で接続する。またフレーム基板の裏面がプリント基板の上面に直接に接するように樹脂封止を行う。
請求項（抜粋）：
半導体チップを搭載するフレーム基板と、このフレーム基板に取り付ける半導体チップのドレイン電極端子、ソース電極端子、ゲート電極端子と、前記フレーム基板に取り付ける半導体チップのグランド端子と、これら半導体チップ、フレーム基板、一部のドレイン電極端子、ソース電極端子、ゲート電極端子およびグランド端子を封止する樹脂と、この樹脂により封止した半導体チップ、フレーム基板、ドレイン電極端子、ソース電極端子、ゲート電極端子およびグランド端子を取付けるプリント基板と、を備えたことを特徴とする樹脂封止型半導体装置。
IPC (3件)：
H01L 23/48
, H01L 21/60 301
, H01L 21/60 321
H01L 23/48 P
, H01L 21/60 301 F
, H01L 21/60 321 E
出願人引用 (6件)
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審査官引用 (2件)
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