特許

J-GLOBAL ID：200903019398784403

減圧CVD装置及び成膜方法

発明者： 長谷川 利昭
出願人/特許権者： ソニー株式会社
代理人 (1件)： 高橋 光男
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平5-208429
公開番号（公開出願番号）：特開平7-045532
出願日： 1993年07月30日
公開日（公表日）： 1995年02月14日
要約：

【要約】【目的】 気相成長反応を行ってウェーハの表面に薄膜を形成するに際し、炉芯管に収容されたウェーハ全てにわたり均一な膜質及び膜厚の薄膜を形成するように改良した減圧CVD装置及び成膜方法を提供する。【構成】 減圧CVD装置は、上下多段にウェーハを載置したウェーハボートを炉芯管内に装填し、該炉芯管内に反応ガスを導入して減圧下で気相成長反応を行わせウェーハ表面に薄膜を形成させるようにした減圧CVD装置である。ウェーハボート30は、第1のウェーハA1の表面と第2のウェーハA2の表面とが対向し、次いで第2のウェーハの裏面と第3のウェーハの裏面A3とが対向した配列でウェーハを順次配置するように構成されている。本発明の成膜方法は、希釈ガスを2000sccm以上にし、反応ガスを希釈ガスの20%以上の比率で供給する。

請求項（抜粋）：

上下多段にウェーハを載置したウェーハボートを炉芯管内に装填し、該炉芯管内に反応ガスを導入して減圧下で気相成長反応を行わせウェーハ表面に薄膜を形成させるようにした減圧CVD装置において、第1のウェーハの表面と第2のウェーハの表面とを対向させ、次いで前記第2のウェーハの裏面と第3のウェーハの裏面とを対向させた配列でウェーハを順次配置するようにウェーハボートを構成したことを特徴とする減圧CVD装置。