特許
J-GLOBAL ID：200903019400642905
化合物半導体基板の製造方法
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
河野 登夫
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平4-309448
公開番号（公開出願番号）：特開平6-140326
出願日： 1992年10月22日
公開日（公表日）： 1994年05月20日
要約：
【要約】【目的】 転位密度が低く、結晶性が優れた化合物半導体基板を製造することを可能とする。【構成】 Si層1を 900°Cにて酸化膜除去処理を行った後、 500°Cにてエピタキシアル層であるGaAs層2を3μm 形成し、さらに保護層であるAlAs層3を50nm形成する。その後GaAs層2の蒸発温度より高く、AlAs層3の蒸発温度より低い温度(850°C) とGaAs層2の成長温度より低い温度(400°C)との間で上下させる熱サイクルを3回繰り返す。
請求項（抜粋）：
Si層上に化合物半導体からなるエピタキシアル層を形成して化合物半導体基板を製造する方法において、前記エピタキシアル層を形成した後、前記エピタキシアル層の蒸発温度より高い蒸発温度を有する物質からなる保護層を蒸着形成し、前記エピタキシアル層の蒸発温度より高く、前記保護層の蒸発温度より低い温度にて熱処理を行うことを特徴とする化合物半導体基板の製造方法。
IPC (3件)：
H01L 21/20
, C30B 23/08
, H01L 21/324
