特許

J-GLOBAL ID：200903019408620331

半導体レーザ素子

発明者： 日野 智公 ,  成井 啓修 ,  御友 重吾 ,  岡野 展賢
出願人/特許権者： ソニー株式会社
代理人 (1件)： 畑中 芳実
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2002-340471
公開番号（公開出願番号）：特開2004-179209
出願日： 2002年11月25日
公開日（公表日）： 2004年06月24日
要約：

【課題】キャリアのオーバーフローを抑制し、かつアスペクト比が小さくなる構成の長波長域の半導体レーザ素子を提供する。【解決手段】本半導体レーザ素子10は、n型GaAs基板12上に、n型下部クラッド層14、光ガイド層16、Ga1-y Iny Nz As1-z (0<y≦1、0<z≦1)活性層18、光ガイド層20、p型上部クラッド層22、及びp型で不純物濃度の高いGaAsコンタクト層24の積層構造を備える。下部クラッド層は屈折率がn3 のAl0.30Ga0.70As下部下層クラッド層14A、屈折率がn2 のGaAs下部中間クラッド層14B、及び屈折率がn1 のAl0.47Ga0.53As下部上層クラッド層14Cで構成されている。上部クラッド層も同じである。下部中間クラッド層14Bの屈折率:n2 >下部上層クラッド層14Cの屈折率:n3 >下部下層クラッド層14Aの屈折率:n1 の関係が成立している。上部クラッド層も同じである。【選択図】 図1

請求項（抜粋）：

SCH(Separated Confinement Heterostructures)構造の半導体レーザ素子において、 下部クラッド層及び上部クラッド層の少なくともいずれか一方のクラッド層(以下、特定クラッド層と言う)が、屈折率の相互に異なる少なくとも3層以上の化合物半導体多層膜で形成され、 特定クラッド層の実効的屈折率が、活性層の屈折率より少なくとも0.15小さいことを特徴とする半導体レーザ素子。

IPC (1件)：

H01S5/20

FI (1件)：

H01S5/20 610

Fターム (7件)：

5F073AA13 ,  5F073AA46 ,  5F073AB28 ,  5F073BA02 ,  5F073CA05 ,  5F073CB02 ,  5F073EA19