特許
J-GLOBAL ID：200903019409830160
プラズマリアクタ内の静電チャックの洗浄
発明者：
,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
長谷川 芳樹 (外3名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平7-137760
公開番号（公開出願番号）：特開平8-064573
出願日： 1995年06月05日
公開日（公表日）： 1996年03月08日
要約：
【要約】【目的】 静電チャックを使用するプラズマ処理において、連続プラズマ処理サイクル中、チャック上の汚染蓄積物を制御することにより、非揮発性汚染物を効率的に除去すること【構成】 本発明は、軟質材料加工物を用いて物理的に除去するか又はチャック表面からの汚染物を浮遊しかつチャンバのチャンバ真空排気装置のガス流れ中に捕捉するプラズマシースを発生させることにより、半導体加工物の静電チャックペデスタルから微粒子汚染物を除去する方法を提供するものである。汚染除去プロセスは、加工物処理用連続プラズマプロセスにおいて特に効果的である。
請求項（抜粋）：
真空排気能力を備えかつ大気以下に制御された環境内で基板を連続的に処理するのに適応したプラズマ処理チャンバ内の処理ステーションに基板を保持するための表面を有する静電チャックの洗浄方法であって、a)該プラズマ処理チャンバ内の該静電チャックの該基板保持表面に基板を保持する工程;b)該チャンバ内に少なくとも1種の選定ガスを送る(communicating into)工程;c)該基板上でプラズマ処理するように該静電チャックの該基板保持表面に実質的に垂直なガスプラズマ及び付随した電場を設定するために該チャンバに電力を印加する工程;d)該プラズマ処理の完了時に該静電チャックから処理加工物を取出す工程;及びe)大気以下に制御された環境下で該チャンバを維持しつつ、プラズマ処理されるべき次の基板を導入する前に、その密閉チャンバ内の該静電チャック表面から汚染粒子を電気的に又は機械的にその場(in-situ )除去する工程;を含む方法。
IPC (5件)：
H01L 21/304 341
, H01L 21/304
, H01L 21/3065
, H01L 21/31
, H01L 21/68
