特許

J-GLOBAL ID：200903019414840033

化合物半導体ウェハの製造方法

発明者： 秋山 弘樹 ,  中森 昌治
出願人/特許権者： 日立電線株式会社
代理人 (1件)： 絹谷 信雄
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平10-003229
公開番号（公開出願番号）：特開平11-204471
出願日： 1998年01月09日
公開日（公表日）： 1999年07月30日
要約：

【要約】【課題】 ポリッシングしたウェハをアルカリ洗浄ステップを含む洗浄工程によって洗浄して高品位の清浄鏡面化合物半導体ウェハを得ることを可能とする。【解決手段】 ポリッシングステップおよび有機溶剤洗浄ステップを含むポリッシング工程で得られた鏡面仕上化合物半導体ウェハを酸化工程で酸化処理した後にアルカリ洗浄ステップを含む洗浄工程で洗浄処理する。

請求項（抜粋）：

ポリッシングステップとその後処理ステップから成るポリッシング工程でウェハ表面を鏡面加工して鏡面仕上ウェハとし、上記鏡面仕上ウェハをアルカリ洗浄ステップを含む洗浄工程で洗浄して清浄鏡面ウェハとする化合物半導体ウェハの製造方法において、上記ポリッシング工程の後で、且つ上記洗浄工程の前に酸化工程を設けて、上記鏡面仕上ウェハを酸化膜が形成されるように酸化して酸化膜付鏡面ウェハとし、上記酸化膜付鏡面ウェハを上記洗浄工程で洗浄して、酸化膜の除去と洗浄とを行って清浄鏡面ウェハとする化合物半導体ウェハの製造方法。

IPC (2件)：

H01L 21/304 622 ,  H01L 21/304

FI (2件)：

H01L 21/304 622 P ,  H01L 21/304 622 Q