特許
J-GLOBAL ID:200903019417045684

EEPROMへの記録方法

発明者:
出願人/特許権者:
代理人 (1件): 堀田 実
公報種別:公開公報
出願番号(国際出願番号):特願2001-342878
公開番号(公開出願番号):特開2003-140979
出願日: 2001年11月08日
公開日(公表日): 2003年05月16日
要約:
【要約】【課題】EEPROMの書き込み回数制限を越えることなく書き込みを行い、EEPROMの物理的メモリ空間を有効に使いきることの出来るEEPROMへの記録方法を提供しようとする。【解決手段】従来のメモリへの書き込みをする最大書き込み回数をNmaxと定めたEEPROMへの記録方法にかわって、EEPROMの物理メモリ空間を同時に書き込みが行える単位であるエリア毎に予め区分し、前記エリア内のメモリに書き込みを行った際に該エリアへの書き込み回数Nを特定する書き込み回数情報を該エリア内の第一の特定番地のメモリに同時に書き込み、書き込みを行う際に前記第一の特定番地の前記書き込み回数情報から得られる前記書き込み回数NがNmax以上となった前記エリアを避けて他の前記エリア内のメモリに書き込みをするものとした。
請求項(抜粋):
メモリへの書き込みをする最大書き込み回数をNmaxと定めたEEPROMへの記録方法であって、EEPROMの物理メモリ空間を書き込みが同時に行える単位である複数のエリアに予め区分し、前記エリア内のメモリに書き込みを行った際に該エリアへの書き込み回数Nを特定する書き込み回数情報を該エリア内の第一の特定番地のメモリに同時に書き込み、前記エリア内のメモリに書き込みを行う際に該エリア内の前記第一の特定番地の前記書き込み回数情報から得られる前記書き込み回数NがNmax以上である場合には未だ書き込みが行われていない他の前記エリア内のメモリに書き込みをする、ことを特徴とするEEPROMへの記録方法。
IPC (4件):
G06F 12/16 310 ,  G06F 12/00 597 ,  G06F 12/02 510 ,  G11C 16/02
FI (4件):
G06F 12/16 310 A ,  G06F 12/00 597 U ,  G06F 12/02 510 A ,  G11C 17/00 601 E
Fターム (8件):
5B018GA04 ,  5B018HA23 ,  5B018NA06 ,  5B018QA15 ,  5B025AD04 ,  5B025AE01 ,  5B060AA06 ,  5B060AA14
引用特許:
審査官引用 (8件)
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