特許

J-GLOBAL ID：200903019422632172

半導体装置の製造方法

発明者： 本多 由明
出願人/特許権者： 松下電工株式会社
代理人 (1件)： 佐藤 成示 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平6-008571
公開番号（公開出願番号）：特開平7-221027
出願日： 1994年01月28日
公開日（公表日）： 1995年08月18日
要約：

【要約】【目的】 量子細線構造または量子箱構造に急峻なヘテロ界面を形成する。【構成】 結晶成長装置の結晶成長室内で第1化合物半導体層4に光によるホログラフィックな干渉パターンを発生させて温度分布を形成し、第1化合物半導体層4を構成する元素のモル比を変化させて第1化合物半導体層4を量子細線構造とした後、半導体装置を結晶成長室外に取り出さずに第2化合物半導体層であるAlGaAsクラッド層7を結晶成長させる。【効果】 量子細線構造を酸化させず、また、エッチングやイオン注入といった物理化学的なダメージを与えることなく、結晶成長室内の一連の結晶成長工程で急峻なヘテロ界面を有する量子細線構造を埋め込んだ構造を形成できる。

請求項（抜粋）：

量子細線構造または量子箱構造を有する第1化合物半導体層と、その第1化合物半導体層上に形成された第2化合物半導体層とを有する半導体装置の製造方法において、結晶成長装置の結晶成長室内で前記第1化合物半導体層に光若しくは粒子線によるホログラフィックな干渉パターンまたは表面電磁波を発生させて温度分布を形成し、前記第1化合物半導体層を構成する元素のモル比を変化させて前記第1化合物半導体層を量子細線構造または量子箱構造とした後、前記半導体装置を前記結晶成長室外に取り出さずに前記第2化合物半導体層を結晶成長させることを特徴とする半導体装置の製造方法。

IPC (4件)：

H01L 21/205 ,  H01L 21/20 ,  H01L 21/268 ,  H01L 29/06