特許

J-GLOBAL ID：200903019424079497

プラズマ処理装置

発明者： 上田 庸一 ,  小美野 光明
出願人/特許権者： 東京エレクトロン株式会社
代理人 (1件)： 浅井 章弘 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平4-220624
公開番号（公開出願番号）：特開平6-053207
出願日： 1992年07月28日
公開日（公表日）： 1994年02月25日
要約：

【要約】 (修正有)【目的】 下部電極をカソード側としても電気的絶縁性及び断熱性に優れた冷却構造を有するプラズマ処理装置を提供する。【構成】 プラズマ処理装置において被処理体Wを載置する載置台8に液体窒素等の冷媒を流通させる冷媒収容部16を形成する。この冷媒収容部16の冷媒供給口80と冷媒供給通路18の間及び冷媒排出口82と冷媒排出通路20の間を、所定の特性を有する材料、例えばセラミックスよりなる真空2重管ジョイント84、86を用いて接続する。これにより、高周波に対する絶縁性を維持しつつ断熱性を確保する。

請求項（抜粋）：

処理容器内に設けられた載置台に被処理体を載置して、この被処理体にプラズマ処理を施すプラズマ処理装置において、前記載置台に冷媒を貯留しつつ流通させる冷媒収容部を形成すると共に、前記冷媒収容部の冷媒供給口と外部の冷媒供給通路との間及び前記冷媒収容部の冷媒排出口と外部の冷媒排出通路との間をそれぞれ熱伝導性が低くしかも金属材料と比較して熱伸縮性の差が少ない電気的絶縁材よりなる真空2重管ジョイントにより接続したことを特徴とするプラズマ処理装置。

IPC (7件)：

H01L 21/31 ,  C23C 14/50 ,  C23C 16/50 ,  C23F 4/00 ,  C30B 25/12 ,  H01L 21/302 ,  H05H 1/28