特許

J-GLOBAL ID：200903019431474717

有機電界発光素子及びその製造方法

発明者： 呉 相 憲
出願人/特許権者： 三星エスディアイ株式会社
代理人 (2件)： 三好 秀和 ,  伊藤 正和
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2005-357464
公開番号（公開出願番号）：特開2006-171745
出願日： 2005年12月12日
公開日（公表日）： 2006年06月29日
要約：

【課題】有機電界発光素子の補助電極ライン形成時第2電極電源供給ラインと補助電極ラインがコンタクトするよう形成することによって前記補助電極ライン上部の有機膜を除去して、画素領域内に存在する有機膜を最小化することによって前記有機膜からのアウトガス現象による有機発光層の劣化による画素収縮現象を防止して製品の信頼性を向上させる。【解決手段】本発明は有機電界発光素子の補助電極ライン形成時第2電極電源供給ラインと補助電極ラインがコンタクトするよう形成することによって前記補助電極ライン上部の有機膜を除去して、画素領域内に存在する有機膜を最小化することによって前記有機膜からのアウトガス現象による有機発光層の劣化による画素収縮現象を防止して製品の信頼性を向上させる有機電界発光素子及びその製造方法に関する。【選択図】図2

請求項（抜粋）：

基板と、 前記基板の画素領域上に形成されている、半導体層、ゲート電極及びソース/ドレイン電極を含む薄膜トランジスタと、 前記基板の配線領域上に前記ゲート電極と同一層に形成されている第1導電性パターンと、 前記第1導電性パターンの一部を露出させるように形成されている層間絶縁膜と、 前記基板の配線領域を除外した前記薄膜トランジスタの上に形成されているパッシベーション膜及び平坦化膜と、 前記パッシベーション膜及び平坦化膜内のビアホールを介して形成されている第1電極及び前記第1導電性パターンと接続されて形成されている第2導電性パターンと、 前記基板の配線領域を除外した画素領域上に形成されていて前記第1電極を露出させる開口部を有する画素定義膜と、 露出した前記第1電極の上に形成されていて少なくとも有機発光層を含む有機膜層と、 前記有機膜層の上に形成されている第2電極と、 を含むことを特徴とする有機電界発光素子。

IPC (5件)：

G09F 9/30 ,  H01L 51/50 ,  H05B 33/26 ,  H05B 33/10 ,  H01L 27/32

FI (5件)：

G09F9/30 338 ,  H05B33/14 A ,  H05B33/26 Z ,  H05B33/10 ,  G09F9/30 365Z

Fターム (19件)：

3K007AB11 ,  3K007AB13 ,  3K007BA06 ,  3K007CC00 ,  3K007DB03 ,  3K007FA00 ,  3K007FA01 ,  3K007GA00 ,  5C094AA21 ,  5C094AA31 ,  5C094AA42 ,  5C094BA03 ,  5C094BA27 ,  5C094CA19 ,  5C094EA05 ,  5C094EA06 ,  5C094FB01 ,  5C094FB12 ,  5C094GB10

引用特許：

出願人引用 (2件)

• KR公開番号2004-10304
  
• エレクトロルミネッセンス表示装置
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2002-128008   出願人：三洋電機株式会社