特許

J-GLOBAL ID：200903019433258566

半導体装置及びその製造方法

発明者： 田村 泰之 ,  佐々木 隆興
出願人/特許権者： 株式会社半導体先端テクノロジーズ
代理人 (2件)： 日向寺 雅彦 ,  松山 允之
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2004-023477
公開番号（公開出願番号）：特開2005-217272
出願日： 2004年01月30日
公開日（公表日）： 2005年08月11日
要約：

【課題】 Hf系のゲート絶縁膜を用いつつ、PBTIとNBTIをいずれも抑制し、且つしきい値電圧Vthの上昇も抑制した半導体装置及びその製造方法を提供することを目的とする。【解決手段】 第1の領域と、前記第1の領域の上に設けられた第2の領域と、前記第2の領域の上に設けられた第3の領域と、を有し、窒素の濃度は第3の領域でもっとも高く、酸素の濃度は第1の領域で最も高く、シリコンの濃度は第2の領域で最も低く、第1の金属元素の濃度は第2の領域で最も高いゲート絶縁膜を有する半導体装置を提供する。【選択図】 図1

請求項（抜粋）：

第1導電型のチャネル領域と、第2導電型のソース領域と、第2導電型のドレイン領域と、が設けられた半導体層と、 前記チャネル領域の上に設けられ、窒素と酸素とシリコンと第1の金属元素とを含有する第1のゲート絶縁膜と、 前記第1のゲート絶縁膜の上に設けられた第1のゲート電極と、 を備え、 前記第1のゲート絶縁膜に含有される前記窒素の濃度は、前記第1のゲート絶縁膜の厚み方向にみたときに、前記半導体層の側で相対的に低く、前記ゲート電極の側で相対的に高く、 前記第1のゲート絶縁膜に含有される前記酸素の濃度は、前記第1のゲート絶縁膜の厚み方向にみたときに、前記半導体層の側で相対的に高く、前記ゲート電極の側で相対的に低く、 前記第1のゲート絶縁膜に含有される前記シリコンの濃度は、前記第1のゲート絶縁膜の厚み方向にみたときに、前記半導体層及び前記ゲート電極の側で相対的に高く、前記半導体層と前記ゲート電極との間において相対的に低く、 前記第1のゲート絶縁膜に含有される前記第1の金属元素の濃度は、前記第1のゲート絶縁膜の厚み方向にみたときに、前記半導体層及び前記ゲート電極の側で相対的に低く、前記半導体層と前記ゲート電極との間において相対的に高いことを特徴とする半導体装置。

IPC (4件)：

H01L29/78 ,  H01L21/316 ,  H01L21/8238 ,  H01L27/092

FI (3件)：

H01L29/78 301G ,  H01L21/316 M ,  H01L27/08 321D

Fターム (36件)：

5F048AA07 ,  5F048AA09 ,  5F048AC03 ,  5F048BB05 ,  5F048BB06 ,  5F048BB07 ,  5F048BB11 ,  5F048BB14 ,  5F048BB17 ,  5F048BD04 ,  5F048BE03 ,  5F048BG13 ,  5F048DA23 ,  5F058BA01 ,  5F058BA20 ,  5F058BD02 ,  5F058BD04 ,  5F058BD05 ,  5F058BD15 ,  5F058BD18 ,  5F058BJ01 ,  5F140AA24 ,  5F140AA28 ,  5F140AB03 ,  5F140BD02 ,  5F140BD04 ,  5F140BD05 ,  5F140BD07 ,  5F140BD15 ,  5F140BD16 ,  5F140BE02 ,  5F140BE07 ,  5F140BE08 ,  5F140BE10 ,  5F140BF01 ,  5F140BF04