特許
J-GLOBAL ID：200903019437483602
半導体装置、光弁装置およびプロジェクション装置
発明者：
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出願人/特許権者：
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代理人 (2件)：
林 敬之助
, 林 敬之助 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平7-327503
公開番号（公開出願番号）：特開平9-050045
出願日： 1990年04月27日
公開日（公表日）： 1997年02月18日
要約：
【要約】【課題】 従来の非晶質や多結晶シリコンによるアクティブマトリクス表示装置では、高集積度、高伝達速度を有する回路素子を絶縁性基板上に形成して電気光学物質を駆動することが困難であった。【解決手段】 絶縁性基板上に半導体単結晶薄膜を積層形成し、該半導体単結晶薄膜に駆動回路、能動素子等を一体的に形成し、高集積度、高伝達速度を有する光弁装置を実現する。
請求項（抜粋）：
マトリクス状に配置された複数の駆動素子と、該駆動素子と電気的に接続する画素電極と、該駆動素子を選択的に駆動する駆動回路とからなる集積回路が形成された駆動基板と、該駆動基板に対向配置された対向基板と、該駆動基板と該対向基板の間に配置された電気光学物質層からなる光弁装置において、該駆動基板は担体層と、膜厚が1000Åを越えない半導体単結晶薄膜層とから少なくともなる多層構造を有し、該集積回路は該半導体単結晶薄膜層ないしは該担体層に集積配置されかつ該駆動回路により励起された時電気光学物質層に作用してその光透過性を制御することを特徴とする光弁装置。
IPC (5件)：
G02F 1/136 500
, G02F 1/13 505
, G09F 9/30 338
, H01L 27/12
, H01L 29/786
G02F 1/136 500
, G02F 1/13 505
, G09F 9/30 338 K
, H01L 27/12 A
, H01L 29/78 612 B
, H01L 29/78 620
