特許

J-GLOBAL ID：200903019441593340

外付けイオン化補助CVD装置

発明者： ツトム タナカ ,  トーマス ノワック ,  ケヴィン フェアバイルン
出願人/特許権者： アプライド マテリアルズ インコーポレイテッド
代理人 (1件)： 長谷川 芳樹 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2001-151301
公開番号（公開出願番号）：特開2002-146538
出願日： 2001年05月21日
公開日（公表日）： 2002年05月22日
要約：

【要約】【課題】 イオンの流れ等の流体を処理チャンバの中にもたらす方法と装置を提供する。【解決手段】 層の基板への堆積を容易にし、反応性の種の2つの流れを化学気相堆積処理チャンバへ送出する連結されたデュアル遠隔プラズマ供給源を特徴とし、同時に、基板に近接した処理領域に到達するまでは、2つの流れを分離状態で維持する。化学気相堆積(CVD)基板処理装置10は、壁14及びリッドアセンブリ16を持つ処理チャンバ12を包含する。処理チャンバ12の内部に配置されるのはペデスタル18であり、ペデスタル18の上面は平ら又は若干凸状で、リッドアセンブリ16に面している。ペデスタル18の上面は処理化学に依存して任意の適切な材料から作られるが、望ましいのは表面が窒化アルミニウム等のセラミック材料から作られる。

請求項（抜粋）：

イオンを処理チャンバ中に提供する方法であって、前記処理チャンバに関して第1のプラズマ及び第2のプラズマを遠く隔てて形成するステップであり、前記第1のプラズマは前記第1のプラズマに関連する第1の複数の反応性ラジカルを有し、前記第2のプラズマは前記第2のプラズマに関連する第2の複数の反応性ラジカルを有する、ステップと、前記第1の反応性ラジカル及び前記第2の反応性ラジカルを前記処理チャンバに流入させるステップであり、前記第1の反応性ラジカルは第1の流れを規定し、前記第2の反応性ラジカルは第2の流れを規定する、ステップと、前記処理チャンバに入った後に前記第1の流れと前記第2の流れを混合するステップとを含む方法。

IPC (3件)：

C23C 16/452 ,  B01J 19/08 ,  H01L 21/205

FI (3件)：

C23C 16/452 ,  B01J 19/08 H ,  H01L 21/205

Fターム (63件)：

4G075AA24 ,  4G075AA30 ,  4G075AA53 ,  4G075AA57 ,  4G075AA61 ,  4G075AA63 ,  4G075AA65 ,  4G075BA01 ,  4G075BA08 ,  4G075BC02 ,  4G075BC04 ,  4G075BC06 ,  4G075BD12 ,  4G075CA02 ,  4G075CA03 ,  4G075CA14 ,  4G075CA26 ,  4G075CA57 ,  4G075CA63 ,  4G075CA65 ,  4G075DA02 ,  4G075EA05 ,  4G075EA06 ,  4G075EB01 ,  4G075EB42 ,  4G075EB44 ,  4G075EC02 ,  4G075EC09 ,  4G075EC25 ,  4G075EE07 ,  4G075EE12 ,  4G075EE36 ,  4G075FA02 ,  4G075FB01 ,  4G075FB02 ,  4G075FB04 ,  4G075FC01 ,  4G075FC06 ,  4G075FC07 ,  4G075FC09 ,  4G075FC11 ,  4G075FC15 ,  4K030EA06 ,  4K030FA01 ,  4K030KA17 ,  4K030KA30 ,  4K030KA39 ,  4K030KA41 ,  4K030KA46 ,  5F045AA09 ,  5F045AA10 ,  5F045DP03 ,  5F045EB02 ,  5F045EB03 ,  5F045EC05 ,  5F045EF05 ,  5F045EH03 ,  5F045EH18 ,  5F045EJ04 ,  5F045EJ09 ,  5F045EM10 ,  5F045EN06 ,  5F045GB04