特許
J-GLOBAL ID:200903019442647508

担持酸化ルテニウム触媒の製造方法および塩素の製造方法

発明者:
出願人/特許権者:
代理人 (3件): 久保山 隆 ,  中山 亨 ,  榎本 雅之
公報種別:公開公報
出願番号(国際出願番号):特願2002-240284
公開番号(公開出願番号):特開2004-074073
出願日: 2002年08月21日
公開日(公表日): 2004年03月11日
要約:
【課題】活性が高く、より少量の触媒でより低い反応温度で塩素を製造できる触媒の製造方法。【解決手段】下記の工程を含む方法。ルテニウム化合物担持工程:ルテニウム化合物を触媒担体に担持する工程焼成工程:ルテニウム化合物担持工程で得られたものを、200°C以上の温度で、不活性ガス中、酸化性ガス中又は還元性ガス中で焼成する工程シロキサン化合物担持工程:下式(1)または(2)に示されるシロキサン化合物を焼成工程で得られたものに担持する工程R1-(Si(R2)2-O)n-R3 (1)R1-(Si(R2)2-O)m-Si(R3 )3(2)ただし、R1、R2、R3は炭素数が6以下のアルキル基またはアリール基であり、環状となっていてもよい。nは1〜4、mは1〜3の範囲である。酸化物形成工程:シロキサン化合物担持工程で得られたものの表面にケイ素酸化物を形成する工程【選択図】 なし
請求項(抜粋):
下記の工程を含む調製法により調製された担持酸化ルテニウム触媒の製造方法。 ルテニウム化合物担持工程:ルテニウム化合物を触媒担体に担持する工程 焼成工程:ルテニウム化合物担持工程で得られたものを、200°C以上の温度で、不活性ガス中、酸化性ガス中又は還元性ガス中で焼成する工程 シロキサン化合物担持工程:下式(1)または(2)に示されるシロキサン化合物を焼成工程で得られたものに担持する工程 R1-(Si(R2)2-O)n-R3 (1) R1-(Si(R2)2-O)m-Si(R3 )3(2) ただし、R1、R2、R3は炭素数が6以下のアルキル基またはアリール基であり、環状となっていてもよい。nは1〜4、mは1〜3の範囲である。 酸化物形成工程:シロキサン化合物担持工程で得られたものの表面にケイ素酸化物を形成する工程
IPC (3件):
B01J23/46 ,  B01J37/02 ,  C01B7/04
FI (3件):
B01J23/46 301M ,  B01J37/02 101D ,  C01B7/04 A
Fターム (30件):
4G069AA03 ,  4G069AA08 ,  4G069BA02A ,  4G069BA02B ,  4G069BA04A ,  4G069BA04B ,  4G069BB02A ,  4G069BB02B ,  4G069BB08C ,  4G069BC21C ,  4G069BC70A ,  4G069BC70B ,  4G069BC70C ,  4G069BD12C ,  4G069BE32C ,  4G069CB81 ,  4G069EA02Y ,  4G069EB18Y ,  4G069EC22X ,  4G069EC22Y ,  4G069FA02 ,  4G069FB14 ,  4G069FB19 ,  4G069FB27 ,  4G069FB30 ,  4G069FB34 ,  4G069FB40 ,  4G069FB44 ,  4G069FC02 ,  4G069FC07
引用特許:
審査官引用 (1件)

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