特許

J-GLOBAL ID：200903019443157458

気相成長装置

発明者： 玉村 好司 ,  平井 寛一郎
出願人/特許権者： ソニー株式会社
代理人 (1件)： 松隈 秀盛
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平5-180327
公開番号（公開出願番号）：特開平7-037809
出願日： 1993年07月21日
公開日（公表日）： 1995年02月07日
要約：

【要約】【目的】 簡潔な装置構造により、原料ガスの高効率利用化をはかり、取扱の簡便化、コストの低減化をはかることのでき、更に成膜の膜質の向上をはかる。【構成】 キャリアガス一般には水素ガスを、10Torr〜60Torrの真空度で、対向電極1及び2間に70V〜110Vの電圧を印加して放電させて活性化して原料ガスと共に、被気相成長基体4上に送り込んで、この被気相成長基体4上に原料ガスの分解による目的とする薄膜の気相成長を行う。

請求項（抜粋）：

キャリアガスを、10Torr〜60Torrの真空度で、対向電極間に70V〜110Vの電圧を印加して放電させて活性化して原料ガスと共に、被気相成長基体上に送り込んで、該被気相成長基体上に上記原料ガスの分解による目的とする薄膜の気相成長を行うことを特徴とする気相成長装置。