液晶表示装置

発明者： , , ,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：宮井暎夫
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平6-120927
公開番号（公開出願番号）：特開平7-325323
出願日： 1994年06月02日
公開日（公表日）： 1995年12月12日
要約：

【要約】【目的】 TFT基板の作製プロセスを複雑にすることなく、また画素の開口率および有効領域の低下を伴うことなく、表示品位が高く視野角の広い液晶表示装置を提供する。【構成】 TFT基板の画素電極を、小画素電極Aと、小画素電極Aと絶縁層を介して互いにその一部に重なり部分を有する小画素電極Bとで構成し、小画素電極Bは薄膜トランジスタの構成の一部である半導体層11と同一の透光性材料からなり、小画素電極Bと半導体層11とを同時に多結晶シリコン薄膜により形成できるため、画素電極を2層に分割しても、作製プロセスが増加することなく、また、画素の有効領域および開口率の低下を伴うことなく、液晶表示装置の視野角の拡大化と表示品位の向上を実現できる。

請求項（抜粋）：

画素電極およびこの画素電極のスイッチング素子として薄膜トランジスタを有するTFT基板と、このTFT基板と液晶層を介して対向配置した対向基板とを備えた液晶表示装置であって、前記画素電極は絶縁層を介して互いにその一部に重なり部分を有する第1および第2の小画素電極からなり、前記第1および第2の小画素電極のうちどちらか一方と、前記薄膜トランジスタのソース・ドレイン領域を含む半導体層とを同一の透光性材料で形成したことを特徴とする液晶表示装置。

IPC (2件)：

G02F 1/136 500 , H01L 29/786

引用特許：

審査官引用 (8件)

アクティブマトリクス型液晶表示素子
公報種別：公開公報出願番号：特願平4-151824 出願人：株式会社東芝
特開平1-129234
特開平2-058029

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