特許
J-GLOBAL ID：200903019444908104
太陽電池
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
野河 信太郎
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平8-041849
公開番号（公開出願番号）：特開平9-237910
出願日： 1996年02月28日
公開日（公表日）： 1997年09月09日
要約：
【要約】 (修正有)【課題】 太陽電池の光電変換効率を向上させる。【解決手段】 P型シリコン半導体基板11の光入射側の面にN型シリコン半導体層12を形成し、P型シリコン半導体基板11の裏面上にシリコン酸化膜層16を形成し、シリコン酸化膜層上に水素化窒化シリコン膜層17を形成し、水素化窒化シリコン膜層上に、水素化窒化シリコン膜層17とシリコン酸化膜層16とを貫通してP型シリコン半導体基板11に接続されるようにP+型微結晶シリコン半導体層18を形成する。
請求項（抜粋）：
第1導電型のシリコン半導体基板からなり、その第1導電型のシリコン半導体基板の光入射側の面に第2導電型のシリコン半導体層が形成された太陽電池において、第1導電型のシリコン半導体基板の光入射側の反対面上に形成したシリコン酸化膜層と、このシリコン酸化膜層上に形成した絶縁膜層と、この絶縁膜層上に、絶縁膜層とシリコン酸化膜層との一部を貫通し第1導電型のシリコン半導体基板の光入射側の反対面に接して形成した第1導電型の微結晶シリコン半導体層とを設けたことを特徴とする太陽電池。
FI (2件)：
H01L 31/04 L
, H01L 31/04 H
