特許
J-GLOBAL ID：200903019447687400
炭化珪素単結晶の製造方法
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
伊藤 洋二 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平9-213546
公開番号（公開出願番号）：特開平11-060390
出願日： 1997年08月07日
公開日（公表日）： 1999年03月02日
要約：
【要約】【課題】 結晶の形及び結晶面の整った良質な炭化珪素単結晶を容易に製造できる方法を提供する。【解決手段】 炭化珪素原料粉末2の温度を2200〜2300°Cにして、炭化珪素単結晶基板5の温度が前記炭化珪素原料粉末2の温度より50〜100°C低い温度に到達後、不活性ガス雰囲気の圧力を2段以上の多段階に減圧する。その多段階に減圧する圧力を、第1段階で200〜500Torr、第2段階で100〜200Torr、第3段階で1〜10Torrの領域にし、さらに不活性ガス雰囲気の圧力の減圧開始から結晶成長する圧力に到達するまでの減圧時間を10分以上の時間をかけてゆっくり減圧する。これにより、結晶成長の初期成長速度を制御し、良質な炭化珪素単結晶の格子に従って、結晶の形、結晶面の整った良質な炭化珪素単結晶7が成長する。
請求項（抜粋）：
炭化珪素原料粉末(2)を不活性ガス雰囲気中で加熱昇華させ、前記炭化珪素原料粉末(2)より低温になっている炭化珪素単結晶基板(5)の表面に炭化珪素単結晶(7)を結晶成長させる炭化珪素単結晶の製造方法において、前記炭化珪素原料粉末(2)の温度及び、前記炭化珪素単結晶基板(5)の温度が結晶成長温度に到達したのち、前記不活性ガス雰囲気の圧力を複数段階に減圧して、前記炭化珪素単結晶(7)の結晶成長の初期における成長速度を制御することを特徴とする炭化珪素単結晶の製造方法。
IPC (5件)：
C30B 29/36
, C30B 23/02
, C30B 27/00
, H01L 21/205
, H01L 33/00
C30B 29/36 A
, C30B 23/02
, C30B 27/00
, H01L 21/205
, H01L 33/00 Z
