特許

J-GLOBAL ID：200903019453318379

ひずみゲージ

発明者： ジャン・ハーマン ,  ブルクハード・ラグース ,  トーステン・レーダ ,  アラン・リチャード・ウィルソン
出願人/特許権者： コモンウェルス サイエンティフィック アンド インダストリアル リサーチ オーガニゼーション ,  ザ・コモンウェルス・オブ・オーストラリア・アズ・リプリゼンテッド・バイ・ザ・ディフェンス・サイエンス・アンド・テクノロジー・オーガニゼーション・オブ・ザ・デパートメント・オブ・ディフェンス
代理人 (5件)： 志賀 正武 ,  渡邊 隆 ,  青山 正和 ,  村山 靖彦 ,  実広 信哉
公報種別：公表公報
出願番号（国際出願番号）：特願2003-522800
公開番号（公開出願番号）：特表2004-538494
出願日： 2002年08月26日
公開日（公表日）： 2004年12月24日
要約：

本発明は、抵抗層を備えるひずみゲージを提供する。抵抗層は、金属のまたは半導性のナノ粒子またはその凝集体を含み、抵抗層においてナノ粒子またはその凝集体は絶縁性および/または半導性材料により分離されている。

請求項（抜粋）：

抵抗層を備え、抵抗層が金属もしくは半導性のナノ粒子またはその凝集体を含み、当該ナノ粒子またはその凝集体が絶縁性および/または半導性材料により分離されているひずみゲージ。

IPC (2件)：

G01L1/20 ,  B32B7/02

FI (2件)：

G01L1/20 Z ,  B32B7/02 104

Fターム (15件)：

4F100AB01A ,  4F100AB24A ,  4F100AB25A ,  4F100AK01A ,  4F100AL05A ,  4F100AT00B ,  4F100BA02 ,  4F100BA10A ,  4F100BA10B ,  4F100BA10C ,  4F100DE01A ,  4F100DJ00A ,  4F100GB41 ,  4F100JG04A ,  4F100JG04C