特許

J-GLOBAL ID：200903019453759073

誘電体磁器および積層型電子部品

発明者： 神垣 耕世
出願人/特許権者： 京セラ株式会社
代理人 (3件)： 小野 尚純 ,  奥貫 佐知子 ,  中 敦士
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2003-188100
公開番号（公開出願番号）：特開2005-022891
出願日： 2003年06月30日
公開日（公表日）： 2005年01月27日
要約：

【課題】結晶粒子を微粒子化した場合でも比誘電率が大きく、かつ比誘電率の温度特性が良好な誘電体磁器を提供し、それにより高電圧が印加されても静電容量の低下率が小さい積層型電子部品を提供する。【解決手段】Bサイトの一部がZrで置換されたペロブスカイト型チタン酸バリウム系結晶粒子(BTZ型系結晶粒子)と、Aサイトの一部がSrで置換されたペロブスカイト型チタン酸ビスマスナトリウム系結晶粒子(BNST型系結晶粒子)と、Mg、Mn及び希土類元素の少なくとも一つ以上の元素を含有し、前記Mg、Mn又は希土類元素の少なくとも一つ以上の元素は前記BTZ型系結晶粒子及びBNST型系結晶粒子間の粒界相に存在すると共にその一部は、それぞれ、前記BTZ型系結晶粒子及びBNST型系結晶粒子中に固溶して存在し、かつ前記BTZ型系結晶粒子及びBNST型系結晶粒子の何れもが、0.3〜1.0μmの平均粒径を有していることを特徴とする誘電体磁器。【選択図】 なし

請求項（抜粋）：

Bサイトの一部がZrで置換されたペロブスカイト型チタン酸バリウム結晶粒子(BTZ型結晶粒子)と、Aサイトの一部がSrで置換されたペロブスカイト型チタン酸ビスマスナトリウム結晶粒子(BNST型結晶粒子)と、Mg、Mn及び希土類元素の少なくとも一つ以上の元素とを含有する焼結体であって、前記Mg、Mn及び希土類元素の少なくとも一つ以上の元素の一部は、それぞれ前記BTZ型結晶粒子及びBNST型結晶粒子中に固溶し、かつ前記BTZ型結晶粒子及びBNST型結晶粒子の何れもが0.3〜1.0μmの平均粒径を有していることを特徴とする誘電体磁器。

IPC (4件)：

C04B35/46 ,  C04B35/49 ,  H01B3/12 ,  H01G4/12

FI (4件)：

C04B35/46 C ,  C04B35/49 Z ,  H01B3/12 303 ,  H01G4/12 358

Fターム (37件)：

4G031AA01 ,  4G031AA03 ,  4G031AA05 ,  4G031AA06 ,  4G031AA07 ,  4G031AA08 ,  4G031AA11 ,  4G031AA12 ,  4G031AA19 ,  4G031AA35 ,  4G031BA09 ,  4G031CA01 ,  4G031CA04 ,  4G031CA08 ,  5E001AB03 ,  5E001AE02 ,  5E001AE03 ,  5E001AF06 ,  5E001AH01 ,  5E001AH05 ,  5E001AH09 ,  5E001AJ02 ,  5G303AA01 ,  5G303AB05 ,  5G303AB06 ,  5G303AB07 ,  5G303AB11 ,  5G303BA09 ,  5G303CA01 ,  5G303CB03 ,  5G303CB05 ,  5G303CB17 ,  5G303CB18 ,  5G303CB20 ,  5G303CB32 ,  5G303CB35 ,  5G303CB39