特許
J-GLOBAL ID：200903019454385290
半導体相変化モニタ方法及びこれを用いた半導体結晶化方法
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
松隈 秀盛
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平5-030562
公開番号（公開出願番号）：特開平6-244255
出願日： 1993年02月19日
公開日（公表日）： 1994年09月02日
要約：
【要約】【目的】 半導体のエネルギービーム照射による相変化を確実に行い、結晶化を安定に行えるようにする。【構成】 エネルギービームを半導体3に照射して、この半導体3を相変化する際に、半導体3の物理特性の変化を測定することにより、相変化をモニタする。
請求項（抜粋）：
エネルギービームを半導体に照射して、上記半導体を相変化する際に、上記半導体の物理特性の変化を測定することにより、上記半導体の相変化をモニタすることを特徴とする半導体相変化モニタ方法。
IPC (5件)：
H01L 21/66
, G01N 21/55
, G01N 25/02
, G01N 27/18
, H01L 21/324
