特許
J-GLOBAL ID:200903019455241780

樹脂封止型半導体装置

発明者:
出願人/特許権者:
代理人 (1件): 小川 勝男
公報種別:公開公報
出願番号(国際出願番号):特願平8-020901
公開番号(公開出願番号):特開平9-208669
出願日: 1996年02月07日
公開日(公表日): 1997年08月12日
要約:
【要約】【課題】樹脂封止型半導体装置の耐リフロー性,耐湿信頼性,高温放置信頼性の向上。【解決手段】エポキシ樹脂と硬化剤と硬化促進剤と充填剤とを含むエポキシ樹脂組成物によって封止された樹脂封止型半導体装置において、【化8】(式中、R1及びR2は水素原子またはC1〜C4のアルキル基またはアルコキシ基を表し、互いに同じであっても異なっていても良い。nは1〜5の整数を示す)で表される有機リン系化合物を硬化促進剤とし、【化9】(式中、nは0〜5の整数を示す)で表されるフェノール系樹脂を硬化剤としたエポキシ樹脂組成物を封止材料とした。【化10】【化11】
請求項(抜粋):
エポキシ樹脂と硬化剤と硬化促進剤と充填剤等とを含むエポキシ樹脂組成物によって封止された樹脂封止型半導体装置において、前記硬化促進剤が一般式【化1】(式中、R1及びR2は水素原子またはC1〜C4のアルキル基またはアルコキシ基を表し、互いに同じであっても異なっていても良い。nは1〜5の整数を示す)で表される有機リン系化合物であり、前記硬化剤が一般式【化2】(式中、nは0〜5の整数を示す)で表されるフェノール系樹脂であることを特徴とする樹脂封止型半導体装置。
IPC (4件):
C08G 59/40 NHX ,  C08G 59/68 NKL ,  H01L 23/29 ,  H01L 23/31
FI (3件):
C08G 59/40 NHX ,  C08G 59/68 NKL ,  H01L 23/30 R

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