特許

J-GLOBAL ID：200903019458575221

陽子線利用中性子発生装置

発明者： 中村 文人 ,  熊坂 勝行 ,  加藤 公平 ,  道下 秀紀 ,  林 克己 ,  坂下 元昭 ,  田中 弥
出願人/特許権者： 株式会社日立製作所 ,  日立エンジニアリング株式会社
代理人 (1件)： 小川 勝男
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平10-335274
公開番号（公開出願番号）：特開2000-162399
出願日： 1998年11月26日
公開日（公表日）： 2000年06月16日
要約：

【要約】【課題】本発明の目的は、冷却水に対する腐食性を向上させ、寿命が長く信頼性の高いターゲットを供給し、長期間安定して中性子を発生させることのできる中性子発生装置を供給することにある。【解決手段】上記目的を達成するために、ターゲット材に被覆材として、低水素吸収体で、冷却水に対する耐食性に優れ、中性子吸収が少なく、ターゲット材との物性ができるだけ近い物質を接合することにより、寿命が長くかつ長期間安定して中性子を発生することができる。

請求項（抜粋）：

Wの外表面を低水素吸収体であるNb,Pt,Au,Al,Be,Cr,ステンレス鋼またはその合金で被覆したことを特徴とするターゲットを有する陽子線利用中性子発生装置。

IPC (3件)：

G21K 5/08 ,  H05H 3/06 ,  H05H 6/00

FI (3件)：

G21K 5/08 N ,  H05H 3/06 ,  H05H 6/00

Fターム (7件)：

2G085BA20 ,  2G085BE02 ,  2G085BE10 ,  2G085DA03 ,  2G085DA10 ,  2G085EA01 ,  2G085EA04