特許

J-GLOBAL ID：200903019467008259

絶縁膜形成方法

発明者： 安田 真 ,  福田 永
出願人/特許権者： 沖電気工業株式会社
代理人 (1件)： 大垣 孝
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平3-050935
公開番号（公開出願番号）：特開平5-198573
出願日： 1991年03月15日
公開日（公表日）： 1993年08月06日
要約：

【要約】[目的] シリコン基板上に従来より膜質が優れ、破壊耐性の高い絶縁膜を形成すること。[構成] シリコン基板10上に形成したシリコン酸化膜12をN2Oガス雰囲気中で1000〜1200°Cの温度で加熱しながら酸窒化しシリコン酸窒化膜14に置換する。

請求項（抜粋）：

シリコンの下地上に絶縁膜を形成する方法において、シリコンの下地上に形成されたシリコン酸化膜を窒素含有の酸化性ガス雰囲気中で1000°C以上の温度で加熱処理してシリコン酸窒化膜に置換し該シリコン酸窒化膜を当該絶縁膜とすることを特徴とする絶縁膜形成方法。