特許
J-GLOBAL ID：200903019471005213
薄膜コンデンサとその製造方法
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
長谷川 芳樹 (外3名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平3-310796
公開番号（公開出願番号）：特開平5-152510
出願日： 1991年11月26日
公開日（公表日）： 1993年06月18日
要約：
【要約】【目的】 本発明は、大容量を得ることができる小型化された薄膜コンデンサとその製造方法を得ることを目的とする。【構成】 半絶縁性のGaAs基板(1)上には、低抵抗材料である金により複数の凸体(21)がマトリックス状に配列され、凹凸部(2)が設けられている。この凹凸部(2)上には下層電極薄膜(3)、誘電体薄膜(4)、そして上層電極薄膜(5)が順次積層されている。この構造によれば、凸体(21)の側面にも下層電極薄膜(3)が設けられ、実効的な電極の面積が増加する。したがって、MMIC中に占めるMIMキャパシタの面積を大きくすることなく、下層電極および上層電極の対向面積を実効的に増加させることができる。
請求項（抜粋）：
基板表面に、凸体が配列されてなる凹凸部を有し、この凹凸部上に、下層電極薄膜、誘電体薄膜、及び上層電極薄膜とが順次積層されていることを特徴とする薄膜コンデンサ。
IPC (3件)：
H01L 27/04
, H01L 23/12 301
, H01P 3/08
