水溶性プリフラックス、プリント回路基板及びプリント回路基板の金属の表面処理方法

発明者： ,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：佐野忠
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平7-350022
公開番号（公開出願番号）：特開平9-176524
出願日： 1995年12月25日
公開日（公表日）： 1997年07月08日
要約：

【要約】【目的】QFP等のリードが狭ピッチの部品を実装するプリント回路基板のはんだプリコート層が浸食されない水溶性プリフラックス、その膜を形成したプリント回路基板、その回路の金属の表面処理方法を提供すること。【構成】官能基置換ベンズイミダゾール系化合物の可溶化剤としてアミノ酸等を用いた水溶性プリフラックス。その膜を形成したプリント回路基板、その回路の金属の表面処理方法。【効果】上記目的を達成できる。

請求項（抜粋）：

下記一般式〔化1〕及び〔化2〕で表される化合物からなる群の少なくとも1つの化合物と、その水溶性塩を形成可能の第1級アミノ基、第2級アミノ基、第3級アミノ基及び窒素原子を含む環を持つ複素環の少なくとも1つを有しかつ酸性基を有する化合物からなる可溶化剤を含有する水溶性プリフラックス。【化1】(式中、X1 は同一又は異なりてハロゲン原子、アミノ基、ジ低級アルキルアミノ基、ヒドロキシ基、低級アルコキシ基、シアノ基、アセチル基、ベンゾイル基、カルバモイル基、ホルミル基、カルボキシル基、低級アルコキシカルボニル基又はニトロ基、Y1 は炭素数1〜20個の直鎖又は分岐鎖のアルキル基、nは0〜4の整数を表す。)【化2】(式中、X2 、Y2 はそれぞれ同一又は異なりて炭素数1〜7個の直鎖又は分岐鎖のアルキル基、ハロゲン原子、アミノ基、ジ低級アルキルアミノ基、ヒドロキシ基、低級アルコキシ基、シアノ基、アセチル基、ベンゾイル基、カルバモイル基、ホルミル基、カルボキシル基、低級アルコキシカルボニル基又はニトロ基、n、pはそれぞれ0〜4の整数、mは1〜10の整数を表す。)

IPC (2件)：

C09D 5/08 PQE , H05K 3/34 503

FI (2件)：

C09D 5/08 PQE , H05K 3/34 503 A

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