特許

J-GLOBAL ID：200903019474092311

汚染源特定方法

発明者： 小塚 祥二 ,  富田 充裕 ,  山田 裕司 ,  竹中 みゆき ,  松永 秀樹
出願人/特許権者： 株式会社東芝
代理人 (1件)： 三好 秀和 (外3名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平9-253919
公開番号（公開出願番号）：特開平11-097321
出願日： 1997年09月18日
公開日（公表日）： 1999年04月09日
要約：

【要約】【課題】 半導体製品の汚染源を特定する方法を提供する。【解決手段】 半導体製品の製造又は処理に用いられる装置を複数の部位1,2,4に規定し、この複数の部位を同位体存在比が互いに異なる素材によって構成する。装置のいずれかの部位を汚染源とする汚染が半導体製品に生じたとき該汚染における同位体存在比を測定することによって汚染源を特定する。

請求項（抜粋）：

半導体製品の製造又は処理に用いられる装置を複数の部位に規定し、当該複数の部位を同位体存在比が互いに異なる素材によって構成することにより、装置のいずれかの部位を汚染源とする汚染が半導体製品に生じたときに該汚染における同位体存在比を測定することによって当該汚染源を特定することを特徴とする汚染源特定方法。

IPC (3件)：

H01L 21/02 ,  G01N 23/225 ,  H01L 21/205

FI (3件)：

H01L 21/02 Z ,  G01N 23/225 ,  H01L 21/205