特許

J-GLOBAL ID：200903019481206217

強磁性スピントンネル効果素子

発明者： 鈴木 基史 ,  大脇 健史 ,  多賀 康訓 ,  只野 博 ,  加地 徹 ,  田中 雄一 ,  冨田 一義
出願人/特許権者： 株式会社豊田中央研究所
代理人 (1件)： 藤谷 修
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平9-023255
公開番号（公開出願番号）：特開平10-209526
出願日： 1997年01月21日
公開日（公表日）： 1998年08月07日
要約：

【要約】【課題】抵抗変化率の大きい強磁性スピントンネル効果素子を提供すること。【解決手段】第1強磁性12と第2強磁性体14とを絶縁層13を介して対向させ、第1強磁性体12と第2強磁性体14との間の磁化方向の関係によって絶縁層13を介して流れるトンネル電流が変化する強磁性スピントンネル効果素子において、第1強磁性体又は/及び第2強磁性体を強磁性半金属とした。この結果、抵抗変化率は従来の強磁性スピントンネル効果素子よりも非常に大きくなった。

請求項（抜粋）：

第1強磁性体と第2強磁性体とを絶縁層を介して対向させ、前記第1強磁性体と前記第2強磁性体との間の磁化方向の関係によって前記絶縁層を介して流れるトンネル電流が変化する強磁性スピントンネル効果を用いた素子において、前記第1強磁性体又は/及び前記第2強磁性体を強磁性半金属としたことを特徴とする強磁性スピントンネル効果素子。

IPC (4件)：

H01L 43/08 ,  G01R 33/06 ,  G11B 5/39 ,  G11C 13/00

FI (4件)：

H01L 43/08 Z ,  G11B 5/39 ,  G11C 13/00 Z ,  G01R 33/06 Z