特許

J-GLOBAL ID：200903019489625561

半導体装置およびその製造方法

発明者： 沼澤 陽一郎
出願人/特許権者： 日本電気株式会社
代理人 (1件)： 内原 晋
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平3-267417
公開番号（公開出願番号）：特開平5-013407
出願日： 1991年10月16日
公開日（公表日）： 1993年01月22日
要約：

【要約】【目的】信頼性の優れた平坦化層間絶縁膜を形成する。【構成】下層アルミニウム配線3上にプラズマCVD酸化シリコン膜4を堆積したのち、有機シリコンガスおよびオゾンを用いた常圧CVD酸化シリコン膜5を堆積する。このときプラズマCVD酸化シリコン膜4の膜厚は、下層アルミニウム配線3の最小配線間隔の1/3以下で、かつ常圧酸化シリコン膜5の膜厚は下層アルミニウム配線3の厚さの1〜2倍とする。【効果】下層配線間の絶縁膜埋め込みにSOG膜を用いないので信頼性が優れている。バイアススパッタエッチングを用いないので、量産性においても優れている。さらに下層配線の直上に200°C以下の低温プラズマCVD法で酸化シリコン膜を形成するので、金属配線にストレスマイグレーションの問題が生じない。

請求項（抜粋）：

半導体基板の一主面上に形成された下層配線を覆うように、プラズマCVD法により形成された酸化シリコン膜と有機シリコンおよびオゾンを用いる常圧CVD法により形成された酸化シリコン膜とを層間絶縁膜とする多層配線構造の半導体装置。

IPC (2件)：

H01L 21/316 ,  H01L 21/90

引用特許：

審査官引用 (4件)

• 特開平2-058353
  
• 特開平2-152258
  
• 特開平4-167429
  
• 特開平4-051523