特許

J-GLOBAL ID：200903019490305791

垂直共振器面発光レーザ装置およびその製造方法

発明者： シング・ビラハムパル
出願人/特許権者： 株式会社アドバンテスト
代理人 (1件)： 石田 敬 (外4名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平10-157708
公開番号（公開出願番号）：特開平11-354881
出願日： 1998年06月05日
公開日（公表日）： 1999年12月24日
要約：

【要約】【課題】 レーザ装置の直列抵抗値を低下させる事によって、しきい電流/電圧値が低い垂直共振器面発光レーザを得る。【解決手段】 本発明の垂直共振器面発光レーザ装置は、半導体基板と、この基板上に形成した第1のDBRミラーと、このミラー上に形成した利得領域である活性層と、この上に形成した第2のDBRミラーとを有し、第1のDBRミラーの上層部および活性層は第1のDBRミラー上に第1のメサを形成し、第2のDBRミラーは活性層上で第1のメサよりも小さい第2のメサを形成し、第1および第2のメサの側面は横方向の酸化処理によって少なくともその一部が酸化されることにより内部に狭い導波路を有し、第1のDBRミラー上に第1の電極を形成し、さらに第1のメサ上であって第2のメサの側面周囲に第2の電極を形成することによって構成されている。

請求項（抜粋）：

半導体基板と、該基板上に形成した第1のDBRミラーと、該第1のDBRミラー上に形成した利得領域である活性層と、該活性層上に形成した第2のDBRミラーとを有する垂直共振器面発光レーザ装置において、前記第1のDBRミラーの上層部および前記活性層は前記第1のDBRミラー上に第1のメサを形成し、前記第2のDBRミラーは前記活性層上で前記第1のメサよりも小さい第2のメサを形成し、前記第1および第2のメサは横方向の酸化処理によって少なくともその一部が酸化されることにより内部に狭い導波路を有し、前記第1のDBRミラー上に第1の電極を形成し、さらに前記第1のメサ上の前記第2のメサの側面周囲に第2の電極を形成したことを特徴とする、垂直共振器面発光レーザ装置。