特許

J-GLOBAL ID：200903019491619102

半導体集積回路装置

発明者： 大池 博幸
出願人/特許権者： 三洋電機株式会社
代理人 (1件)： 西野 卓嗣
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平5-155252
公開番号（公開出願番号）：特開平7-135299
出願日： 1993年06月25日
公開日（公表日）： 1995年05月23日
要約：

【要約】【目的】 出力トランジスタの極性を考慮して小信号部との配置を規定することにより、誘導性負荷の逆誘導起電力による寄生効果を防止する。【構成】 半導体チップ(1)に小信号部(3)と大信号部(2)を配置する。大信号部(2)のトランジスタは出力トランジスタA(10)と出力トランジスタB(11)とに分けられ、コレクタに電源電位VCCが印加される出力トランジスタA(10)を小信号部(3)に隣接して配置する。コレクタが出力端子に接続される出力トランジスタB(11)は出力トランジスタA(10)を挟むことにより小信号部(3)から距離的に遠方に配置する。

請求項（抜粋）：

半導体チップの表面に、コイル負荷を駆動するための、プッシュプル接続する少なくとも1組の出力トランジスタを形成し、前記1組の出力トランジスタは一方のエミッタと他方のコレクタが接続されその接続点を出力端子とし、前記一方のコレクタを電源電位に、前記他方のエミッタを接地電位に接続し、且つ前記出力トランジスタを駆動するための小信号回路を同じチップ上に形成した半導体集積回路装置に於て、前記1組の出力トランジスタのうち、コレクタが電源電位に接続される一方のトランジスタを前記小信号回路の回路ブロックに隣接して配置することを特徴とする半導体集積回路装置。

IPC (2件)：

H01L 27/06 ,  H01L 21/8222

FI (2件)：

H01L 27/06 101 E ,  H01L 27/06 101 B