特許
J-GLOBAL ID：200903019498874949
シリコンウエハーの加工方法
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
鈴木 喜三郎 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平3-255453
公開番号（公開出願番号）：特開平5-094979
出願日： 1991年10月02日
公開日（公表日）： 1993年04月16日
要約：
【要約】【目的】 本発明はシリコンの異方性エッチング加工において、アンダーカットを抑制し、シリコンパターン形状の変形の少ない異方性エッチング加工方法を実現する。【構成】 本発明は、荷性アルカリを含む水溶液及びエチレンジアミン-ピロカテコール水溶液に、フッ素系界面活性剤を添加する事によりアンダーカットを抑制し、異方性エッチングによるシリコンパターン形状の変形を小さくする事を特徴とする。
請求項（抜粋）：
シリコンウェハーのフォトリソグラフィ及びエッチング工程においてエッチング液としてフッ素系界面活性剤を添加したアルカリ溶液を用いた事を特徴とするシリコンウェハーの加工方法。
IPC (2件)：
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