特許

J-GLOBAL ID：200903019499542141

発光素子の製造方法及び発光素子

発明者： 萩本 和徳
出願人/特許権者： 信越半導体株式会社
代理人 (1件)： 菅原 正倫
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2003-341760
公開番号（公開出願番号）：特開2005-109207
出願日： 2003年09月30日
公開日（公表日）： 2005年04月21日
要約：

【課題】 発光層部を含む化合物半導体層が薄く、また反り等を生じている場合であっても、化合物半導体層の割れ、特に、金属層との接合界面に形成された接合合金化層周囲におけるクラック形成を抑制しつつ、素子基板と化合物半導体層との金属層を介した貼り合わせを確実に行なうことができる発光素子の製造方法を提供する。【解決手段】 化合物半導体層50の第二主表面に接合合金化層31を、一部が第二主表面よりも化合物半導体層50側に食い込み、残余の部分が第二主表面から突出した形態で形成する。接合合金化層31の形成された化合物半導体層50の第二主表面に金属層10a,10bと素子基板7とを重ね合わせた積層体130’を作成し、該積層体130’を貼り合わせ加圧しつつ貼り合わせ温度に加熱することにより、化合物半導体層50と素子基板7とを金属層10a,10bを介して貼り合わせる。そして、貼り合わせ温度よりも低温にて貼り合わせ加圧を開始する一方、該加圧圧開始時の温度から貼り合わせ温度に到達するまでの積層体130’の昇温を、当該加圧よりも遅れたタイミングにて開始する。【選択図】 図1

請求項（抜粋）：

発光層部を有する化合物半導体層に金属層を介して素子基板が貼り合わされた発光素子の製造方法であって、 前記化合物半導体層の第二主表面に前記金属層と前記素子基板とを重ね合わせた積層体を作成し、該積層体を第一加圧部材と第二加圧部材との間にて貼り合わせ加圧しつつ貼り合わせ温度に加熱することにより、前記化合物半導体層と前記素子基板とを前記金属層を介して貼り合わせるとともに、 前記貼り合わせ温度よりも低温にて前記貼り合わせ加圧を開始する一方、該加圧開始時の温度から前記貼り合わせ温度に到達するまでの前記積層体の昇温を、当該加圧開始よりも遅れたタイミングにて開始することを特徴とする発光素子の製造方法。

IPC (1件)：

H01L33/00

FI (1件)：

H01L33/00 B

Fターム (11件)：

5F041AA24 ,  5F041AA40 ,  5F041AA43 ,  5F041CA04 ,  5F041CA12 ,  5F041CA33 ,  5F041CA34 ,  5F041CA35 ,  5F041CA73 ,  5F041CA77 ,  5F041CA85

引用特許：

出願人引用 (1件)

• 発光素子及びその製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2000-160696   出願人：信越半導体株式会社