特許
J-GLOBAL ID：200903019500749553
酸化セリウム研磨剤及び基板の製造法
発明者：
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出願人/特許権者：
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代理人 (1件)：
若林 邦彦
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平8-077811
公開番号（公開出願番号）：特開平11-330020
出願日： 1996年03月29日
公開日（公表日）： 1999年11月30日
要約：
【要約】【目的】 グローバルな平坦化が可能で、かつ微細な配線間の埋め込み性が良好で誘電率の低い有機SOG膜、有機高分子樹脂膜の絶縁膜層を研磨するために好適な酸化セリウム研磨剤及びその酸化セリウム研磨剤を使用する基板の製造法を提供する。【構成】 直径が1μm以下である2次粒子が全数の90%以上であり、2次粒子が120°より小さい角部を含まない輪郭を示す酸化セリウム粒子を水中に分散させた酸化セリウム研磨剤で基板上に設けられた、有機SOG膜、有機高分子樹脂膜の絶縁膜層を研磨する。【効果】 本発明の研磨剤により、有機SOG膜、有機高分子樹脂膜の絶縁膜層を高速でキズをつけることなく研磨することができる。本発明の基板の製造法により、各層において基板全面に渡りその表面の段差がほとんど生じなくなるので、配線の微細化にも十分に対応でき、高密度・高集積化による多層配線化が実現できる。
請求項（抜粋）：
直径が1μm以下である2次粒子が全数の90%以上であり、2次粒子が120°より小さい角部を含まない輪郭を示す酸化セリウム粒子を水中に分散させたスラリーを含む、所定の基板上に設けられた絶縁膜層を研磨する酸化セリウム研磨剤。
IPC (6件)：
H01L 21/304 321
, H01L 21/304
, B24D 3/12
, C01F 17/00
, C09C 1/68 PAA
, H01L 21/768
H01L 21/304 321 P
, H01L 21/304 321 M
, B24D 3/12
, C01F 17/00 A
, C09C 1/68 PAA
, H01L 21/90 P
