特許

J-GLOBAL ID：200903019503076002

半導体素子用のPd極細線

発明者： 伊賀 祐人 ,  永松 一郎
出願人/特許権者： 田中電子工業株式会社
代理人 (1件)： 早川 政名
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平3-320426
公開番号（公開出願番号）：特開平5-160185
出願日： 1991年12月04日
公開日（公表日）： 1993年06月25日
要約：

【要約】【目的】所定の組成範囲でボールの真球度及び高温接合強度を改善すること。【構成】Mo,Wの1種又は2種を10〜500 at.ppmを添加し、残部が不可避不純物を含み純度99.9%以上のPdからなる半導体素子用のPd極細線。

請求項（抜粋）：

Mo,Wの1種又は2種を10〜500 at.ppmを添加し、残部が不可避不純物を含み純度99.9%以上のPdからなる半導体素子用のPd極細線。

IPC (2件)：

H01L 21/60 301 ,  H01L 21/321