特許

J-GLOBAL ID：200903019506044225

結晶性Si層含有基板及びその製造方法、並びに結晶性Si層含有基板を用いた結晶性Siデバイス

発明者： 荒木 康
出願人/特許権者： 富士写真フイルム株式会社
代理人 (1件)： 高石 橘馬
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2003-097333
公開番号（公開出願番号）：特開2004-304072
出願日： 2003年03月31日
公開日（公表日）： 2004年10月28日
要約：

【課題】プラスチック基板を損傷させることなく、生産効率が高く、かつ結晶性が高い結晶性Si層形成基板及びその製造方法、並びに結晶性Si層形成基板を用いた結晶性Siデバイスを提供する。【解決手段】本発明の結晶性Si層含有基板は、プラスチック基板上に結晶性Si層を有する結晶性Si層含有基板において、前記プラスチック基板と前記結晶性Si層との間に融点が40〜1200°Cの材料を含む層を少なくとも一層有することを特徴とする。【選択図】 なし

請求項（抜粋）：

プラスチック基板上に結晶性Si層を有する結晶性Si層含有基板において、前記プラスチック基板と前記結晶性Si層との間に融点が40〜1200°Cの材料を含む層を少なくとも一層有することを特徴とする結晶性Si層含有基板。

IPC (3件)：

H01L21/20 ,  H01L21/336 ,  H01L29/786

FI (3件)：

H01L21/20 ,  H01L29/78 626C ,  H01L29/78 627G

Fターム (77件)：

5F052AA02 ,  5F052BA02 ,  5F052BA07 ,  5F052BB02 ,  5F052BB06 ,  5F052BB07 ,  5F052CA09 ,  5F052DA02 ,  5F052DB01 ,  5F052DB03 ,  5F052DB04 ,  5F052DB07 ,  5F052DB08 ,  5F052EA13 ,  5F052EA15 ,  5F052FA06 ,  5F052FA22 ,  5F052JA01 ,  5F052JA05 ,  5F052JA06 ,  5F052JA07 ,  5F052JA08 ,  5F052JA10 ,  5F110AA01 ,  5F110AA23 ,  5F110BB02 ,  5F110BB03 ,  5F110BB05 ,  5F110CC02 ,  5F110DD01 ,  5F110DD12 ,  5F110DD13 ,  5F110DD14 ,  5F110EE03 ,  5F110EE04 ,  5F110EE09 ,  5F110EE34 ,  5F110FF01 ,  5F110FF02 ,  5F110FF03 ,  5F110FF35 ,  5F110GG02 ,  5F110GG13 ,  5F110GG25 ,  5F110GG29 ,  5F110GG32 ,  5F110GG34 ,  5F110GG42 ,  5F110GG43 ,  5F110GG44 ,  5F110GG45 ,  5F110GG48 ,  5F110GG52 ,  5F110GG57 ,  5F110HJ01 ,  5F110HJ04 ,  5F110HJ13 ,  5F110HJ14 ,  5F110HJ15 ,  5F110HK05 ,  5F110HK40 ,  5F110HL03 ,  5F110HL04 ,  5F110HL06 ,  5F110HM14 ,  5F110HM15 ,  5F110NN02 ,  5F110NN23 ,  5F110NN24 ,  5F110NN27 ,  5F110PP03 ,  5F110PP05 ,  5F110PP06 ,  5F110PP24 ,  5F110PP34 ,  5F110PP35 ,  5F110QQ11

引用特許：

審査官引用 (2件)

• 機能性デバイスおよびその製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2001-168756   出願人：ソニー株式会社
• 特開平4-332134