特許
J-GLOBAL ID:200903019517027497
エキシマレーザ加工方法及び加工された基板
発明者:
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出願人/特許権者:
代理人 (1件):
青木 秀實 (外1名)
公報種別:公開公報
出願番号(国際出願番号):特願平8-096143
公開番号(公開出願番号):特開平9-253877
出願日: 1996年03月25日
公開日(公表日): 1997年09月30日
要約:
【要約】【課題】 エキシマレーザ光を用いてダイヤモンド、窒化珪素等硬質セラミック類に対してアスペクト比の高い穿孔、切断、溝加工を行うのに必要な条件を求める。【解決手段】 被加工体表面にマスクにより切り出したレーザ光を投影して穿孔、切断、または溝加工する方法において、レーザ発振器より発振される際のレーザ光の広がり角度が1×10-2ミリラジアン以上、5×10-1ミリラジアン以下の範囲とし、レーザはパルス状とし、レーザの1パルス当りのエネルギー密度を10J/cm2 以上、103 J/cm2 以下とし、発振波長が190nm以上、310nm以下の範囲にあるエキシマレーザ光を使用し、レーザ光により加工される箇所とマスク投影の結像位置を焦点深度の50%以下に保ちながら加工を行う。
請求項(抜粋):
被加工体表面にマスクにより切り出したレーザ光を投影して穿孔加工、切断加工、または溝加工する方法において、レーザ発振器より発振される際のレーザ光の広がり角度が1×10-2 ミリラジアン(mrad)以上、5×10-1 ミリラジアン(mrad)以下の範囲にあり、レーザがパルス状レーザであり、発振波長が190nm以上、310nm以下の範囲にあるエキシマレーザ光を使用し、加工時のレーザの1パルス当たりのエネルギー密度が、10J/cm2 以上、103 J/cm2 以下であり、あるいは、エネルギー密度が、109 W/cm2 以上、1011W/cm2 以下であり、レーザ光により加工される箇所とマスク投影の結像位置を焦点深度の50%以下の範囲に保って加工し、下記に示す式で表されるアスペクト比(R)が20≦R≦50の範囲にある加工端を得る事を特徴とするエキシマレーザ加工方法。R=L/(D1-D2)R ;アスペクト比L ;加工深さD1; 加工幅(レーザ照射側、表面位置)D2; 加工幅(照射反対側、表面位置)
IPC (6件):
B23K 26/00
, B23K 26/00 320
, B23K 26/00 330
, B01J 19/12
, B23K 26/06
, B28D 5/00
FI (6件):
B23K 26/00 G
, B23K 26/00 320 E
, B23K 26/00 330
, B01J 19/12 B
, B23K 26/06 E
, B28D 5/00 Z
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