特許

J-GLOBAL ID：200903019517738091

ペロブスカイト型酸化物膜を含む電子装置とその製造方法及び強誘電体キャパシタ

発明者： 藤木 充司 ,  クロス ジェフリー スコット ,  塚田 峰春
出願人/特許権者： 富士通株式会社
代理人 (1件)： 高橋 敬四郎
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平10-293698
公開番号（公開出願番号）：特開平11-195768
出願日： 1998年10月15日
公開日（公表日）： 1999年07月21日
要約：

【要約】【課題】 ペロブスカイト型酸化物膜を含む電子装置とその製造方法及び強誘電体キャパシタに関し、量産に適したペロブスカイト型酸化物膜を含む電子装置またはその製造方法を提供する。【解決手段】 第1の温度の下地表面上に、減圧雰囲気下でペロブスカイト型の第1の導電性酸化物膜を形成する工程と、前記第1の温度より高い第2の温度、かつ酸素を含む酸化性雰囲気中で前記第1の導電性酸化物膜の熱処理を行う工程とを有する。

請求項（抜粋）：

(a)第1の温度の下地表面上に、減圧雰囲気下でペロブスカイト型の第1の導電性酸化物膜を形成する工程と、(b)前記第1の温度より高い第2の温度、かつ酸素を含む酸化性雰囲気中で前記第1の導電性酸化物膜の熱処理を行う工程とを有する電子装置の製造方法。

IPC (7件)：

H01L 27/108 ,  H01L 21/8242 ,  H01L 21/283 ,  H01L 27/10 451 ,  H01L 21/8247 ,  H01L 29/788 ,  H01L 29/792

FI (4件)：

H01L 27/10 651 ,  H01L 21/283 D ,  H01L 27/10 451 ,  H01L 29/78 371