特許

J-GLOBAL ID：200903019521853881

磁気メモリ素子

発明者： 棚本 哲史 ,  加藤 理一
出願人/特許権者： 株式会社東芝
代理人 (1件)： 外川 英明
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平9-065640
公開番号（公開出願番号）：特開平10-261287
出願日： 1997年03月19日
公開日（公表日）： 1998年09月29日
要約：

【要約】【課題】微細な磁気メモリ素子で素子部分の抵抗が高く、配線間の相互作用を減少することが可能な磁気メモリ素子を提供する。【解決手段】磁気メモリ素子であって、基板上に非磁性体材料からなる層が1つ以上存在し、該基板上の1つ以上の非磁性体層内に1つ以上の磁性体材料からなる微粒子層が2つ以上空間的に離されて存在することを特徴とする。

請求項（抜粋）：

基板上に非磁性体材料からなる層が一つ以上存在し、該基板上の一つ以上の非磁性体層内に一つ以上の磁性体材料からなる微粒子層が二つ以上空間的に離されて存在することを特徴とする磁気メモリ素子。

IPC (3件)：

G11C 11/15 ,  H01F 10/30 ,  H01L 27/115

FI (3件)：

G11C 11/15 ,  H01F 10/30 ,  H01L 27/10 434