特許

J-GLOBAL ID：200903019522161452

導電体

発明者： 横山 明典 ,  林 善夫
出願人/特許権者： 旭化成工業株式会社
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平4-204709
公開番号（公開出願番号）：特開平6-052721
出願日： 1992年07月31日
公開日（公表日）： 1994年02月25日
要約：

【要約】【目的】 ハイブリッドIC、スルーホール導体、多層基板回路、積層セラミックコンデンサー外部電極、ルテニウム系抵抗体の端子電極として、はんだ付け、耐酸化性の優れた導電体を供給するものである。【構成】 セラミックス基材上に形成される一般式Agx Cu1-x (ただし、0.001≦x≦0.4、原子比)で表され、表面の銀濃度が平均の銀濃度より高く、且つ表面に向かって銀濃度が増加する領域を有する導電体。【効果】 該導電体を用いた導電回路、スルーホール導電、多層基板回路、積層セラミックコンデンサー外部電極、ルテニウム系抵抗体端子に用いた場合、はんだ付け、耐はんだ食われ、リード線取り出し、メッキ性、オーバーコートガラスマッチング性などに優れる。

請求項（抜粋）：

セラミックス基材上に形成された導電体が一般式Agx Cu1-x (ただし、0.001≦x≦0.4、原子比)で表され、且つ導電体表面の銀濃度が平均の銀濃度より高く、且つ導電体表面に向かって銀濃度が増加する領域を有する導電体。

IPC (6件)：

H01B 5/14 ,  B22F 1/00 ,  H01B 1/16 ,  H01G 4/12 361 ,  H05K 1/09 ,  H05K 3/46