特許

J-GLOBAL ID：200903019529799371

プラズマ処理方法

発明者： 小島 可容子 ,  斉藤 誠 ,  江藤 英雄 ,  清水 俊雄 ,  青木 克明 ,  新村 忠
出願人/特許権者： 株式会社東芝
代理人 (1件)： 鈴江 武彦 (外6名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平9-237034
公開番号（公開出願番号）：特開平11-087313
出願日： 1997年09月02日
公開日（公表日）： 1999年03月30日
要約：

【要約】【課題】 電極配線材料の腐食を防止し、高速にITO膜をエッチング加工することが可能なITO膜のエッチング方法、および基板表面に形成されたレジストを残渣なく剥離する方法を提供すること。【解決手段】 エッチング処理終了後のレジストを剥離するレジスト剥離方法において、チャンバ11内部を所定圧力まで排気するとともに、F原子を含むガスが0.5〜15%の割合となるようにO2 ガスと混合し、この混合ガスをアッシングガスとしてチャンバ11内部に導入して所定圧力に設定するアッシングガス導入工程と、チャンバ11内部のアッシングガスにマイクロ波を印加してプラズマ化して生じた活性種でレジストをアッシングするアッシング処理工程と、アッシング処理工程後に基板23表面に残留しているレジスト残渣を洗浄するレジスト残渣洗浄手段と、を具備することを特徴とするレジスト剥離方法である。

請求項（抜粋）：

ITO膜のエッチング及びITO膜の表面に形成されたレジストを剥離するプラズマ処理方法において、チャンバ内部を所定圧力まで排気するとともに、エッチングガスを上記チャンバ内部に導入して所定圧力に設定するエッチングガス導入工程と、上記チャンバ内部に導入されたエッチングガスをプラズマ化し、このプラズマ化により生じた活性種で上記ITO膜をエッチングするエッチング処理工程と、上記エッチング処理終了後に再度チャンバ内部を所定圧力まで排気して不活性ガスを導入する不活性ガス導入工程と、上記不活性ガスをプラズマ化し、このプラズマ化により生じた活性種で上記レジスト表面に生じた変質層を除去する変質層除去工程と、上記レジスト変質層除去後にレジストを除去するレジスト除去工程と、を具備することを特徴とするプラズマ処理方法。

IPC (4件)：

H01L 21/3065 ,  G02F 1/1343 ,  H01L 21/027 ,  H01L 21/306

FI (6件)：

H01L 21/302 H ,  G02F 1/1343 ,  H01L 21/30 572 A ,  H01L 21/30 572 B ,  H01L 21/302 N ,  H01L 21/306 D