特許
J-GLOBAL ID:200903019534460927
無電解ニッケルめっき皮膜、この皮膜を有する機械部品および無電解めっき浴
発明者:
出願人/特許権者:
代理人 (1件):
特許業務法人特許事務所サイクス
公報種別:公開公報
出願番号(国際出願番号):特願2005-359762
公開番号(公開出願番号):特開2007-162069
出願日: 2005年12月14日
公開日(公表日): 2007年06月28日
要約:
【課題】室温から高温領域にわたる広い温度範囲において高い硬度を有し、摺動性および靭性に優れ、しかも高速で形成することができるめっき皮膜、および上記めっき皮膜で摺動部分を被覆した、広い温度範囲で硬度が高く、摺動特性に優れた機械部品を提供すること。【解決手段】Coを1〜50質量%、Wを1〜20質量%、Pを1〜5質量%含有することを特徴とする無電解ニッケルめっき皮膜。摺動部分を有する機械部品。少なくとも前記摺動部分を上記皮膜で被覆する。Niイオンを0.03〜0.1mol/L、Coイオンを0.01〜0.05mol/L、WO4イオンを0.01〜0.05mol/L、リン化合物を0.15〜0.30mol/L含有する無電解めっき浴。【選択図】なし
請求項(抜粋):
Coを1〜50質量%、Wを1〜20質量%、Pを1〜5質量%含有することを特徴とする無電解ニッケルめっき皮膜。
IPC (1件):
FI (1件):
Fターム (14件):
4K022AA02
, 4K022AA48
, 4K022BA06
, 4K022BA14
, 4K022BA16
, 4K022BA24
, 4K022BA32
, 4K022CA03
, 4K022CA29
, 4K022DA01
, 4K022DB02
, 4K022DB04
, 4K022DB07
, 4K022DB08
引用特許:
出願人引用 (1件)
審査官引用 (2件)
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半導体集積回路装置及びその製造方法
公報種別:公開公報
出願番号:特願2002-002683
出願人:科学技術振興事業団, 株式会社熊防メタル, 凸版印刷株式会社, 緒方工業株式会社, 株式会社野田市電子
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内燃機関用ピストン
公報種別:公開公報
出願番号:特願平3-354232
出願人:日本メツキ工業株式会社
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