特許

J-GLOBAL ID：200903019535947455

薄膜半導体装置の製造方法

発明者： 竹中 敏
出願人/特許権者： セイコーエプソン株式会社
代理人 (1件)： 鈴木 喜三郎 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平5-088864
公開番号（公開出願番号）：特開平6-301056
出願日： 1993年04月15日
公開日（公表日）： 1994年10月28日
要約：

【要約】【目的】 簡単な工程でTFTのオフリーク電流を低減して画素保持特性の優れた液晶ディスプレイを実現する。フリーク電流を低減させる。【構成】 ゲート電極端部からLoffの領域はゲート絶縁膜を残し、イオン注入する事によってNch薄膜トランジスタのみを選択的にLDD構造とする。【効果】 画素スイッチングTFTのオフリーク電流およびオフリーク電流のはね上がりが低減する。その結果、フリッカや表示ムラが少なく、さらに画素保持特性の優れた液晶ディスプレイが実現される。フォト工程は増加しない。

請求項（抜粋）：

マトリックス状に配置された画素と、該画素を選択するために画素ごとに設置された画素スイッチング薄膜トランジスタと、Nch薄膜トランジスタおよびPch薄膜トランジスタにより構成構成された画素駆動回路とが、同一の絶縁性透明基板上に集積された薄膜半導体装置の製造方法において、前記画素スイッチング薄膜トランジスタと同じ伝導型の薄膜トランジスタは、1回のイオン注入工程によって形成されたLDD(Lightly Doped Drain)構造を有し、前記画素スイッチング薄膜トランジスタと違う伝導型の薄膜トランジスタは、通常の自己整合型の構造で有ることを特徴とする薄膜半導体装置の製造方法。

IPC (3件)：

G02F 1/136 500 ,  H01L 29/784 ,  H01L 21/336

FI (2件)：

H01L 29/78 311 C ,  H01L 29/78 311 P