特許
J-GLOBAL ID：200903019541319644
半導体実装基板
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
宇井 正一 (外4名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平5-335063
公開番号（公開出願番号）：特開平7-202365
出願日： 1993年12月28日
公開日（公表日）： 1995年08月04日
要約：
【要約】【目的】 基板には不向きと考えられていた所定金属を基板として用い得るように巧みに構成し、強度的に優れた安価な薄膜(多層)基板を極めて容易に実用に供することをその目的とする。【構成】 金属基板1上の実質的全面に、導電率が高く且つ非磁性体である金属膜2を形成し、その上にストリップ線路(導体)3を形成し、金属膜2を、ストリップ線路3の接地層又は電源層として用いるように構成したので、金属基板1には電磁場が生じにくい、すなわち高周波に関する金属基板1の影響は、無視することができる。
請求項（抜粋）：
金属基板(1)と、金属基板(1)上の実質的全面に形成された非磁性且つ電気良導体の金属膜(2)と、金属膜(2)上に形成されたストリップ線路(3)、とを有し、金属膜(2)は、ストリップ線路(3)の接地層又は電源層として用いられることを特徴とする半導体実装基板。
IPC (2件)：
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