特許

J-GLOBAL ID：200903019545535090

パタン形成方法及び集積回路の製造方法

発明者： 加門 和也
出願人/特許権者： 株式会社ルネサステクノロジ
代理人 (5件)： 曾我 道照 ,  曾我 道治 ,  古川 秀利 ,  鈴木 憲七 ,  梶並 順
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2006-272894
公開番号（公開出願番号）：特開2006-350395
出願日： 2006年10月04日
公開日（公表日）： 2006年12月28日
要約：

【課題】集積回路の製造プロセスにおいて光近接効果の影響によるパタンの変形を軽減することができるパタン形成方法を提供する。【解決手段】回路パタンの設計データを作成し(a)、設計データを複数のデータブロックに分割し、データブロック毎にパタン転写の際の光学的投影像を作成し、この投影像に基づいてウエハに転写されるパタンの寸法を予測し、予測されたパタンの寸法と設計データによるパタンの寸法との差分を算出し、算出された差分を補正量として設計データを補正することによりウエハへのパタン転写の際に生じる光近接効果を補正した補正データを作成し(b)、補正データに基づいてマスクパタンを形成し(c)、マスクパタンを通して露光することによりウエハにマスクパタンを転写し(d)、転写されたマスクパタンに従ってウエハを加工し(e)、露光装置に変形照明法を適用する場合、3光束干渉のカットオフ周波数に対応する周期以下の大きさの遮光パタンを補正対象外とする。【選択図】図1

請求項（抜粋）：

回路パタンの設計データを作成し、 設計データを複数のデータブロックに分割し、データブロック毎にパタン転写の際の光学的投影像を作成し、この投影像に基づいてウエハに転写されるパタンの寸法を予測し、予測されたパタンの寸法と設計データによるパタンの寸法との差分を算出し、算出された差分を補正量として設計データを補正することによりウエハへのパタン転写の際に生じる光近接効果を補正した補正データを作成し、 補正データに基づいてマスクパタンを形成し、 マスクパタンを通して露光することによりウエハにマスクパタンを転写し、 転写されたマスクパタンに従ってウエハを加工し、 露光装置に変形照明法を適用する場合、3光束干渉のカットオフ周波数に対応する周期以下の大きさの遮光パタンを補正対象外とすることを特徴とするパタン形成方法。

IPC (2件)：

G03F 1/08 ,  H01L 21/027

FI (2件)：

G03F1/08 A ,  H01L21/30 502P

Fターム (4件)：

2H095BA01 ,  2H095BB02 ,  2H095BB36 ,  2H095BC09