特許
J-GLOBAL ID：200903019545737467
波長多重面型発光素子の作製方法
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
京本 直樹 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平6-002455
公開番号（公開出願番号）：特開平7-211986
出願日： 1994年01月14日
公開日（公表日）： 1995年08月11日
要約：
【要約】【目的】 波長多重を用いた光インターコネクションに必要な発光素子アレイの作製方法を提供する。【構成】 共振器を形成する際にまず下部半導体反射鏡10と活性構造13と薄膜積層構造16を成長し、この最上部に各々選択的にエッチングできる2種類の半導体基板14,15を積層する。これをフォトリソグラフィ及び選択エッチングにより部分的に1対ずつエッチングして層13と層16からなるスペース部分の厚さに分布をつけた後、再成長によって上側反射鏡22を形成する。以上の工程により波長多重度、波長間隔を容易かつ精密に設定された波長多重面発光レーザーアレイが実現できる。
請求項（抜粋）：
半導体基板上に、屈折率の異なる2種類の半導体を交互に積層した半導体多層膜反射鏡と、電流注入によって光ゲインを生ずるpn接合構造をこの順にエピタキシャル成長した後、フォトリソグラフ及びエッチング工程によりにより、前記pn接合構造が形成された半導体基板に空間的に少なくとも2種類の厚みの異なる部分を形成し、その上に反射鏡を形成し、その後メサエッチングによる素子分離を行ない、電流注入電極形成を行うことを特徴とする波長多重面型発光素子の作製方法。
IPC (2件)：
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