特許
J-GLOBAL ID:200903019552263713

半導体集積回路の多層配線構造

発明者:
出願人/特許権者:
代理人 (1件): 佐藤 一雄 (外3名)
公報種別:公開公報
出願番号(国際出願番号):特願平4-234870
公開番号(公開出願番号):特開平6-085078
出願日: 1992年09月02日
公開日(公表日): 1994年03月25日
要約:
【要約】【目的】 異なる配線層の配線パターンを複数個のバイアホールを用いて電気的に接続する多層配線構造において、各バイアホール内を流れる電流の均一性を向上させる。【構成】 第1の配線パターン12および第2の配線パターン14に環状領域12a,14aを形成し、かかる環状領域12aと環状領域14aとをバイアホール13a〜13cを介して電気的に接続する。【効果】 接続部15a〜15cのいずれかに流れる電流の電流密度が大きくなってしまうといった問題が生じにくいので、かかる接続部でエレクトロマイグレーションが生じる可能性も低くなり、多層配線構造全体としての信頼性を向上させることができる。
請求項(抜粋):
基板上に絶縁膜を介して形成した配線パターンをこの基板と電気的に接続するための半導体集積回路の多層配線構造であって、前記配線パターンが、環状に形成された環状パターン領域を有し、前記絶縁膜が、前記環状パターン領域と対向する位置に形成された複数の穴部を有し、この複数の穴部を介して前記環状パターン領域と前記基板とが電気的に接続されていることを特徴とする半導体集積回路の多層配線構造。
IPC (2件):
H01L 21/90 ,  H01L 27/00 301
引用特許:
審査官引用 (1件)
  • 特開平3-273640

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