特許
J-GLOBAL ID:200903019554777447

プローブ構造およびその製造方法

発明者:
出願人/特許権者:
代理人 (1件): 高島 一
公報種別:公開公報
出願番号(国際出願番号):特願平7-290109
公開番号(公開出願番号):特開平9-133711
出願日: 1995年11月08日
公開日(公表日): 1997年05月20日
要約:
【要約】【課題】 強度的に優れ、各バンプ接点毎にばらつきの少ない微小突起が表面に形成されたバンプ接点を有するプローブ構造を提供し、さらにその好適な製造方法を提供すること。【解決手段】 絶縁性基板1の一方の面1aに設けられたバンプ接点2と、他方の面1bに設けられた導電性回路3とが導通されたプローブ構造であって、バンプ接点2は、基本形状部分2aと、その表面に形成された微小突起2bとからなり、少なくとも基本形状部分の表層23aと微小突起とは、同じ接点材料をめっきで析出させることによって形成されている。また、微小突起は、表層23aの表面から局部的に突起するようにめっき電流密度を制御されて形成されたものであって、表層23aと微小突起とが互いに境界のない材料組織からなる。微小突起の表面の硬度は、700Hk以上1200Hk以下が好ましい。
請求項(抜粋):
絶縁性基板の一方の面に設けられたバンプ接点と、該絶縁性基板のいずれかの面または内部に設けられた導電性回路とが導通されてなる構造を有し、前記バンプ接点は、基本形状部分と、この基本形状部分の表面に1以上形成された微小突起とからなるものであり、少なくとも基本形状部分の表層と微小突起とは、互いに同じ接点材料をめっきで析出させることによってのみ形成され、微小突起は、基本形状部分の表層の表面から局部的に突起するようにめっき電流密度を制御されて形成されたものであって、基本形状部分の表層と微小突起とが互いに境界のない材料組織からなるものであることを特徴とするプローブ構造。
IPC (5件):
G01R 1/073 ,  G01R 1/06 ,  H01L 21/66 ,  H01R 9/09 ,  H05K 1/02
FI (5件):
G01R 1/073 F ,  G01R 1/06 F ,  H01L 21/66 B ,  H01R 9/09 Z ,  H05K 1/02 Z

前のページに戻る